|
Научные интересы |
Научные
интересы
Исследование процессов поляризации и
переполяризации сегнетоэлектриков. Компьютерное моделирование динамики доменных
и межфазных границ.
q
Автореферат кандидатской диссертации
Актуальность
темы. Физика сегнетоэлектриков (СЭ) и родственных материалов в настоящее
время является одним из ведущих разделов физики твердого тела. Это связано, с
одной стороны, с фундаментальным характером физических идей, возникающих при
изучении сегнетоэлектричества, многогранностью и общностью проблем и путей их
решения, и, с другой стороны, - быстро растущим практическим применением СЭ и
родственных материалов в наиболее перспективных областях техники: радио-, опто-
и акустоэлектронике, нелинейной оптике, вычислительной технике и др.
Одной
из важнейших задач физики сегнетоэлектричества является исследование процессов
поляризации и переполяризации и, следовательно, изучение динамики доменных (ДГ)
и межфазных границ (МГ), определяющей эти процессы. Одновременно следует подчеркнуть,
что в последние годы центр тяжести исследований, проводимых в физике твердого
тела, в том числе в физике СЭ, все более смещается от изучения свойств
идеальных кристаллов к изучению физики явлений в системах, обладающих
структурным беспорядком. В частности, в СЭ кристаллах структурный беспорядок
связан, прежде всего, с ДГ и МГ, являющимися двумерными дефектами
кристаллической решетки. При этом существенно, что именно в низко- (НЧ) и
инфранизкочастотном (ИНЧ) диапазоне особенно заметно проявляется влияние
различного рода дефектов на характер диэлектрического отклика СЭ на внешние
воздействия . Однако, систематического аналитического и экспериментального
изучения влияния динамики доменных и межфазных границ на НЧ и ИНЧ
диэлектрические свойства сегнетоэлектрических керамик в широком диапазоне
амплитуд электрических полей при разделении механизмов движения ДГ и МГ с
помощью ЭВМ пока не проводилось.
Поэтому
аналитико-экспериментальное исследование вклада ДГ и МГ , а также некоторых
дефектов недоменной природы в диэлектрические свойства СЭ керамик при процессах
поляризации и переполяризации на НЧ и ИНЧ с использованием компьютерного
анализа следует считать весьма актуальной задачей.
Работа
выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект
N 95-02-06366-а по теме "Влияние доменных и фазовых границ, а также
дефектов недоменной природы на макроскопические физические свойства некоторых
пьезо-сегнетоэлектрических монокристаллов и керамик") и Конкурсного центра
Минобразования России (проект N37-73-10 по теме "Низко- и
инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков и
родственных материалов. Визуализация доменной структуры сегнетоэлектрических
коллинеарных кристаллов" и проект N 30-14(2-73-2-6) по теме "Влияние
свойств и строения дефектов на макроскопические физические свойства (
диэлектрические спектры, проводимость, переполяризацию, внутреннее трение,
пластичность) сегнетоэлектриков и родственных материалов.").
Цель
работы заключается в детализации и уточнении с помощью компьютерного
моделирования различных механизмов движения ДГ и МГ и на этой основе
дальнейшего обобщения представлений о механизмах поляризации и переполяризации
сегнетоэлектриков, обусловленных динамикой ДГ и МГ, в НЧ и ИНЧ синусоидальных полях
различных амплитуд.
Научная
новизна. Впервые при помощи моделирования на ЭВМ проведены систематические
аналитические и экспериментальные исследования особенностей вклада ДГ и МГ в НЧ
и ИНЧ диэлектрические свойства ряда сегнетоэлектриков в полях различных
амплитуд, в широком интервале температур, включающем фазовый переход (ФП). В
частности:
-
предложена модель, позволяющая с помощью ЭВМ проведение количественного анализа
вклада различных механизмов движения ДГ
и МГ в НЧ и ИНЧ диэлектрические свойства ;
-
с помощью ЭВМ изучено взаимодействие ДГ и МГ с дефектами типа "случайная
локальная температура перехода ";
-
смоделированы на ЭВМ петли поляризации (ПП) при наличии у образцов различных
механизмов движения ДГ и МГ, а также с учетом эффектов диэлектрической памяти;
Апробация
работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на:
XIII конференции по физике
сегнетоэлектриков, Тверь (1992), Российской научно-технической конференции по
физике диэлектриков с
международным участием "Диэлектрики-93", Санкт-Петербург (1993), V Российско-Японском
симпозиуме по сегнетоэлектричеству, Москва (1994), VI международном семинаре по
физике сегнетоэластиков, Воронеж (1994), III симпозиуме по доменной структуре
сегнетоэлектриков и родственных материалов,
Закопане. (1994), Международной
научно-технической конференции "Электрическая релаксация в высокоомных
материалах. Релаксация-94" , Санкт-Петербург (1994), I-III межвузовских
научно-практических конференциях студентов и молодых ученых "Гуманитарные
и естественные науки в Нижневолжском регионе.", Волгоград (1994,1995,1996), VII
международном семинаре
"Релаксационные явления в твердых телах." Воронеж (1995), XIV Всероссийской конференции по физике
сегнетоэлектриков, Иваново (1995), IV международном симпозиуме по доменной
структуре , Вена (1996), ежегодных
научно-технических конференциях ВолГАСА, Волгоград (1992-1997). По итогам II
межвузовской научно-практической
конференции студентов и молодых ученых "Гуманитарные и естественные
науки в Нижневолжском регионе." представленный доклад отмечен Дипломом II
степени.
Публикации.
Опубликовано 67 работ. Список научных публикаций.
|
Научные интересы |
||
|
Copyright © 2001 Нестеров Владимир Николаевич nv2-nesterov@narod.ru |