|
Список научных публикаций.
Страницы
1 2
41.
Shil'nikov A.V.,
Otsarev I.V., Burkhanov A.I., Nesterov V.N. and Akbaeva G.V. Peculiarities of
mechanisms of polarization and repolarization in PZT based ceramics doped with
GeO2 in low and infralow frequencies. // Ferroelectrics. Vol. 222,
1999. PP. 311-315.
42.
Shil'nikov A.V.,
Nesterov V.N., Pozdnyakov A.P., Fedorikhin V.A. and Shuvalov L.A. About
mechanisms of repolarization of DTGS single crystals under the ac-fields of low
and ultralow frequencies. // Ferroelectrics. Vol. 222, 1999. PP. 317-322.
43.
Шильников А.В., Поздняков А.П., Нестеров B.H., Надолинская Е.Г., Федорихин В.А.,
Попов Э.С. Влияние легирования литием на перераспределение механизмов движения
доменных границ в кристаллах сегнетовой соли. // XV Всероссийская конференция по физике
сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Ростов-на-Дону 1999. С. 67.
44.
Шильников А.В., Поздняков А.П., Нестеров B.H., Федорихин В.А., Шувалов Л.А.
Разделение механизмов движения доменных границ кристаллов ТГС в низко- и
инфранизкочастотных электрических полях. // XV Всероссийская конференция по физике
сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Ростов-на-Дону 1999. С. 110.
45.
Нестеров B.H., Шильников А.В. О роли взаимодействия
доменных и межфазных границ с точечными дефектами при формировании
характеристик переключения сегнетоэлектриков. // XV Всероссийская конференция по физике
сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Ростов-на-Дону 1999. С. 111.
46.
Нестеров B.H., Шильников А.В. Взаимодействие соседних
паралельных 180°-доменных границ сегнетоэлектриков между собой.
// XV
Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов.
Ростов-на-Дону 1999. С. 112.
47.
Шильников А.В., Оцарев И.В., Бурханов А.И.,
Нестеров B.H., Сигов А.С., Воротилов К.А. Особенности
доменного вклада в процессы переполяризации тонких сегнетоэлектрических пленок Ni/PZT/Pt в области низких и инфранизких частот.
// XV
Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов.
Ростов-на-Дону 1999. С. 164.
48.
Данилов А.Д., Шильников А.В., Бурханов А.И.,
Нестеров В.Н., Надолинская Е.Г., Акбаева Г.М. Диэлектрический отклик в системе
ЦТС в области сосуществования фаз. // XV Всероссийская конференция по физике
сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Ростов-на-Дону 1999. С. 219.
49.
A.V.Shil'nikov,
A.P.Pozdnyakov, V.N.Nesterov, V.A.Fedorikhin and R.H.Uzakov. The analysis of
dynamic domain boundaries of TGS crystals in low and infralow frequencies
electrical fields.// Ferroelectrics, 1999, V.223. P.149.
50.
Нестеров В.Н., Шильников А.В. О некоторых
особенностях релаксационного и гистерезисного механизмов движения доменных и
межфазных границ в сегнетоэлектриках. // Релаксационные явления в твердых
телах. Тезисы докладов международной конференции. Воронеж 1999. С. 275-276.
51.
Шильников А.В., Поздняков А.П., Нестеров В.Н.,
Надолинская Е.Г., Федорихин В.А., Попов Э.С. Еще раз о гистерезисном и
релаксационном механизмах движения доменных границ в кристаллах сегнетовой
соли. // Тезисы докладов IV
Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура,
применение». ВНИИСИМС. Александров 1999. С. 170-172.
52.
Шильников А.В., Поздняков А.П., Нестеров В.Н.,
Федорихин В.А., Шувалов Л.А. О вкладе различных механизмов движения доменных и
межфазных границ в эффективную диэлектрическую проницаемость кристаллов ТГС в
средних, низко- и инфранизкочастотных полях. // Тезисы докладов IV Международной конференции «Кристаллы:
рост, свойства, реальная структура, применение». ВНИИСИМС. Александров 1999. С.
172-175.
53.
Нестеров В.Н., Шильников А.В. Взаимодействия
доменных границ друг с другом в полидоменных сегнетоэлектрических образцах. //
Тезисы докладов IV
Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура,
применение». ВНИИСИМС. Александров 1999. С. 176-177.
54.
Нестеров В.Н., Шильников А.В. Характеристики
переключения сегнетоэлектриков и их компьютерное моделирование. // Тезисы
докладов IV
Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура,
применение». ВНИИСИМС. Александров 1999. С. 177-178.
55.
Данилов А.Д., Шильников А.В., Бурханов А.И.,
Нестеров В.Н., Надолинская Е.Г., Акбаева Г.М. Поведение диэлектрического
отклика в системе ЦТС в области сосуществования фаз
(тетроганальной-ромбоэдрической). // Тезисы докладов IV Международной конференции «Кристаллы:
рост, свойства, реальная структура, применение». ВНИИСИМС. Александров 1999. С.
330-332.
56.
Шильников А.В., Оцарев И.В., Бурханов А.И.,
Нестеров В.Н., Сигов А.С., Воротилов К.А. Некоторые диэлектрические свойства
тонких пленок сегнетоэлектрической керамики PZT на низких и инфранизких частотах. //
Тезисы докладов IV
Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура,
применение». ВНИИСИМС. Александров 1999. С. 343-345.
57.
Нестеров В.Н., Шильников А.В. Характеристики
переключения сегнетоэлектриков и их компьютерное моделирование. // Труды IV Международной конференции «Кристаллы:
рост, свойства, реальная структура, применение». Том 2. ВНИИСИМС. Александров
1999. С. 120-131.
58.
Данилов А.Д., Шильников А.В., Бурханов А.И.,
Нестеров В.Н., Надолинская Е.Г., Акбаева Г.М. Диэлектрический отклик в системе
ЦТС в области сосуществования фаз.// Изв. РАН. Сер. физ. 2000. Т.64, №6. С. 1233-1238.
59.
Shil'nikov A.V.,
Otsarev I.V., Burkhanov A.I., Nesterov V.N., Akbaeva G.M. Peculiarities of
ac-fields influence on dielectric propertties of PZT-based ferroceramics. //
Ferroelectrics. 1999. V. 235, pp.125-130.
60.
Nesterov V.N.,
Shil'nikov A.V. The computer analysis of domain boundery dynamics in
ferroelastics-ferroelectrics. // ISFP-III. The therd international seminar on
ferroelastics physics. Voronezh State Technical University. Voronezh 2000.
P.47.
61.
Shil'nikov A.V.,
Burkhanov A.I., Laletin R.A., Zhmurko A.V., Nesterov V.N., Sigov A.S.,
Vorotilov K.A. Investigation of the lead content influence on dielectric
properties of PZT thin films in a low and infralow frequency range. //
ISFP-III. The therd international seminar on ferroelastics physics. Voronezh
State Technical University. Voronezh 2000. P.102.
62.
Shil'nikov A.V.,
Burkhanov A.I., Laletin R.A., Nesterov V.N., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Effect
of lead content on dielectric properties Ni/PZT/Pt films on low and infralow
frequencies. // The 5th
Euroconference on application of polar dielectrics. Program and
abstracts. Riga 2000. P. 129.
63.
Нестеров В.Н., Шильников А.В. Особенности низко- и
инфранизкочастотного диэлектрического отклика сегнетоэлектриков в связи с их
дефектной структурой. // Девятая международная конфереция «Физики
диэлектриков». Тезисы докладов. Том II. Санкт–Петербург 2000. С. 179–181.
64.
Шильников А.В., Оцарев И.В., Бурханов А.И,
Нестеров В.Н., Лалетин Р.А, , Сигов А.С., Воротилов К.А. Диэлектрические
свойства тонких сегнетоэлектрических пленок на основе PZT на низких и инфранизких частотах при
различном содержании свинца. // Девятая международная конфереция «Физики
диэлектриков». Тезисы докладов. Том II. Санкт–Петербург 2000. С. 190–191.
65.
Шильников А.В., Бурханов А.И, Лалетин Р.А,
Нестеров В.Н., Сигов А.С., Воротилов К.А. Низко– и инфранизкочастотные
диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок PZT с различным содержанием свинца. //
Пьзотехника– 2000. Материалы Международной научно–практической конференции
«Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения». Москва 2000. С.
53–58.
66.
Нестеров В.Н., Шильников А.В. Диэлектрические и
сегнетоэластические характеристики полидоменных сегнетоэлектриков. //
Пьзотехника– 2000. Материалы Международной научно–практической конференции
«Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения». Москва 2000. С. 75–79.
67.
V.N. Nesterov,
A.V. Shil’nikov Dynamics of domain and interphase boundaries in ferroelectrics
(computer analysis). // The
sixth international domains and mesoscopic structure. ISFD–6. // Nanjing.
China. 2000. P. 26.
|
|||
|
Copyright
© 2001 Нестеров Владимир Николаевич nv2-nesterov@narod.ru |