Главная страница

Научные интересы

Научно-методические интересы

 

<< Предыдущая страница

Следующая страница >>

 

 

ГЛАВА 4. ЭФФЕКТЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ В ПРОЗРАЧНОЙ СЕГНЕТОКЕРАМИКЕ ЦТСЛ-Х/65/35 . МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ ПАМЯТИ ПО ВИДУ (ФОРМЕ) ПЕТЕЛЬ ПОЛЯРИЗАЦИИ

            В четвертой главе рассмотрены эффекты диэлектрической памяти ( термической , полевой и механической ) в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ-Х/65/35 .

            Показано, что временное старение комплексной диэлектрической проницаемости сегнетокерамики в области размытого ФП обусловлено постепенным выключением МГ и, возможно, ДГ из процесса диэлектрической поляризации вследствие закрепления их на диффундирующих к данным границам точечных дефектах и, вероятно, ростом объема кластеров полярной фазы ("замораживание" стеклоподобного состояния). Взаимодействие точечных дефектов с ДГ и МГ нами смоделированы в рамках двумерной модели Ишибаши [5]. Получены зависимости силы взаимодействия F_d ДГ и МГ с дефектами типа "случайная локальная температура перехода" [6] (T_d) от расстояния R, для различных температур (T₁ и T₂), меньших температуры Кюри (T_c), рис. 5. Сделан вывод, что дефекты, приводящие к смещению температуры ФП в область более высоких температур , будут вызывать ослабление эффектов памяти , а дефекты, приводящие к смещению температуры ФП в область более низких температур , будут усиливать эффекты памяти , что согласуется с экспериментальными результатами [7].

Рис. 5. Зависимости силы взаимодействия Fd доменной стенки или межфазной границы с дефектами типа "случайная локальная температура перехода" от расстояния R ( при Tc>T1>T2) для случаев: а - Td<Tc , б - Td>Tc .

            Показано, что временное старение комплексной диэлектрической проницаемости сегнетокерамики в области размытого ФП обусловлено постепенным выключением МГ и, возможно, ДГ из процесса диэлектрической поляризации вследствие закрепления их на диффундирующих к данным границам точечных дефектах и, вероятно, ростом объема кластеров полярной фазы ("замораживание" стеклоподобного состояния). Взаимодействие точечных дефектов с ДГ и МГ нами смоделированы в рамках двумерной модели Ишибаши [5]. Получены зависимости силы взаимодействия F_d ДГ и МГ с дефектами типа "случайная локальная температура перехода" [6] (T_d) от расстояния R, для различных температур (T₁ и T₂), меньших температуры Кюри (T_c), рис. 5. Сделан вывод, что дефекты, приводящие к смещению температуры ФП в область более высоких температур , будут вызывать ослабление эффектов памяти , а дефекты, приводящие к смещению температуры ФП в область более низких температур , будут усиливать эффекты памяти , что согласуется с экспериментальными результатами [7].

            В рамках модели Ишибаши [5] была исследована динамика движения ДГ с учетом взаимодействия ее с дефектом типа "случайная локальная температура перехода" [6]. В результате моделирования получена ПП с "перетяжкой" (рис. 6 ) , вид которой качественно согласуется с экспериментально наблюдаемыми ПП при эффекте термической памяти (рис. 6, вставка).

            Аналогично, могут быть рассмотрены эффекты памяти постоянного и переменного электрических полей. При эффекте памяти постоянного электрического поля дефектный остов формируется на ДГ, смещенной относительно положения равновесия. Смещение ДГ , и следовательно дефектного остова, определяется величиной напряженности постоянного электрического поля выдержки . В случае эффекта памяти переменного электрического поля формируются два дефектных остова , как результат диффундирования дефектов из переполяризующихся частей объёма образца к их границам, где движение ДГ отсутствует. Смоделированные ПП с учетом взаимодействия ДГ с двумя дефектными остовами качественно согласуются с экспериментально наблюдаемыми ПП при эффекте памяти переменного электрического поля.

 

<< Предыдущая страница

Следующая страница >>

 

 

	Главная страница	Научные интересы	Научно-методические интересы
	Copyright © 2001      Нестеров Владимир Николаевич       nv2-nesterov@narod.ru